據臺媒《經(jīng)濟日報》報道，晶圓代工廠(chǎng)臺積電 2nm 制程將于 2025 年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對手三星及英特爾。

　　臺積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm 將在今年下半年量產(chǎn)，升級版 3nm(N3E)制程將于 3nm 量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即 2023 年量產(chǎn)，2nm 預計于 2025 年量產(chǎn)。

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　　臺積電 2nm 廠(chǎng)將落地竹科寶山二期擴建計劃，“竹科管理局”已展開(kāi)公共設施建設，臺積電 2nm 廠(chǎng)也開(kāi)始進(jìn)行整地作業(yè)。

　　臺積電 2nm 首次采用納米片架構，相較 N3E 制程，在相同功耗下頻率可提升 10% 至 15%。在相同頻率下，功耗降低 25% 至 30%。

　　臺積電總裁魏哲家日前在技術(shù)論壇中強調，臺積電 2nm 將會(huì )是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。市場(chǎng)也看好，臺積電 2nm 進(jìn)度將領(lǐng)先對手三星及英特爾。

　　IT之家了解到，此前消息稱(chēng)，雖然在 3nm 世代略有保守，但無(wú)論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì )遇到瓶頸，所以外資法人預估臺積電 2nm 先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體 GAAFET 高端架構生產(chǎn) 2nm 芯片。
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